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专著:  
梁敬魁,车广灿,陈小龙 , 高 Tc 氧化物超导体系的相关系和晶体结构,科学出版社,北京, 1994 年

专利:

专利名称

发明人

专利号

状态

一种SiC单晶生长压力自动控制装置

陈小龙,吴星,李河清,倪代秦,胡伯清

ZL200310113522.4

授权

一种碳化硅晶体生长装置

陈小龙,吴星,李河清,倪代秦,胡伯清,李金成

ZL200310113521.X

授权

物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置

陈小龙,吴星,李河清,倪代秦,胡伯清

ZL200310113523.9

授权

一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法

陈小龙,王刚,简基康,王皖燕,许燕萍

200510115278.4

授权

利用金属氧化物合成氮化物的方法

陈小龙,赵怀周,雷鸣,许燕萍

200510125673.0

授权

一种碳化硅单晶生长后的热处理方法

朱丽娜,陈小龙,倪代秦,杨慧,彭同华

200610081294.0

授权

采用金属氧化物制备镧系金属氮化物的方法

陈小龙,宋波,简基康,王刚,许燕萍

200610083451.1

授权

采用氧化物制备氮化物的方法

陈小龙,宋波,简基康,王刚,许燕萍

200610083453.0

授权

一种制备反钙钛矿型锰基氮化物的方法

陈小龙,宋波,简基康,王刚,许燕萍

200610086563.2

授权

一种氟碳酸钾盐的制备方法及其用途 孙玉平,陈小龙,许燕萍,王皖燕 200610165039.4 答复审查意见
一种双折射硼酸盐晶体的用途 陈小龙,何明,王皖燕,蔡格梅,许燕萍,刘军 200710098763.4
受理
分体式钽坩埚及其制造方法 陈小龙,鲍慧强,王刚,王文军,李龙远,李辉 200710175320.0

授权

一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法

陈小龙,杨慧,彭同华,王文军,王皖燕

200810104843.0

授权

一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托

陈小龙,彭同华,杨慧,王文军,倪代秦,王皖燕

200810106313.X

受理

系列铒镱硼酸盐激光晶体Er1-xYbxBa3B9O18(0<x<1)及其制备方法和用途

陈小龙,刘军,何明,王皖燕,许燕萍

200810118266.0

受理

一种控制溶液晶体生长速率的方法 宋友庭,陈万春,陈小龙,王皖燕 200910077647.3 受理
在碳化硅(SiC)基底上外延生长碳纳米薄膜epitaxial graphene的方法 陈小龙,黄青松,王文军,王皖燕,杨蓉 200910077648.8 受理
系列稀土硼酸盐激光玻璃及其制备方法和用途 陈小龙,刘军,王皖燕,许燕萍 200910081556.7 受理
研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法 张贺,娄艳芳,胡伯清,王锡铭,彭同华,陈小龙 200910236733.4 受理
一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法 张贺,胡伯清,林箐箐,黄青松,刘金义,王锡铭,彭同华,陈小龙 200910236734.9 受理
一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法 王波,陈小龙,彭同华,鲍慧强,刘春俊,李龙远,王刚 200910236735.3 受理
一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 陈小龙,刘春俊,王波,彭同华,鲍慧强,王文军,王皖燕,王刚,李龙远 200910238110.0 受理
一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法 陈小龙,鲍慧强,彭同华,王刚,刘春俊,王波, 李龙远 200910238111.5 受理
一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法 陈小龙,黄青松,王刚,王文军,王皖燕,郭丽伟,林菁菁,贾玉萍,李康,彭同华 200910243028.7 受理
一种SiC单晶晶片的加工方法 张贺,胡伯清,黄青松,王锡铭,陈小龙,彭同华 200910243519.1 受理
一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺 彭同华,王波,李龙远,陈小龙,刘春俊,李河清,朱丽娜,吴星,倪代秦,王文军,王刚,王皖燕 200910243520.4 受理
一种感应线圈表面绝缘处理的方法 陈小龙,倪代秦,吴星,李河清,彭同华,李龙远,崔建利 201010034508.5 受理
在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件 陈小龙,郭丽伟,林菁菁,李康,贾玉萍,王文军,王刚 201010256345.5 受理
半绝缘碳化硅单晶和单晶片 陈小龙,刘春俊,彭同华,李龙远 201010617407.0 受理
半绝缘碳化硅单晶 陈小龙,刘春俊,彭同华,李龙远,王刚,刘宇 201010617348.7 受理