课题组长:    陈小龙 研究员
研究领域:

宽禁带半导体晶体生长


新功能晶体材料探索

  新铁基超导体

  新硼酸盐功能晶体


掺杂宽禁带半导体的物性研究


SiC衬底上外延石墨烯及其性能研究


国际合作

多晶衍射数据结构分析


  测量仪器介绍
 
   
     

2-4英寸N型4H-SiC晶片

KZnB3O6晶体结构示意图

 
课题组简介

  中科院物理研究所纳米物理与器件实验室N01组(功能晶体研究与应用中心)的研究工作主要集中在宽禁带半导体晶体生长和新功能晶体材料探索方面,在国家863、973和科技支撑计划等科研项目的支持下,近年来在SiC晶体生长和加工、铁基新超导体和硼酸盐晶体、掺杂宽禁带半导体的物性以及SiC衬底上外延石墨烯及其性能等方面获得了一系列基础研究成果,同时在高技术产业化领域也取得了重大突破,形成了鲜明的特色。

  研究组目前拥有2名研究员、3名副研究员、1名高级实验师、1名助理研究员和17名研究生,具有良好的创新意识和较强的科研能力。2010年,以研究组为核心的宽禁带半导体材料研究与应用团队荣获 “中国科学院先进集体”荣誉称号。

  研究组拥有中频感应加热晶体生长炉、磁控溅射仪、手套箱、X-射线衍射仪、综合物性测量系统(PPMS)和霍尔效应测试仪等仪器设备,为科研工作的顺利开展提供了充分保障。

  研究组与国际衍射数据中心(International Centre for Diffraction Data,ICDD)保持长期的合作关系。此外,研究组与Stony Brook University- SUNY、Tokyo Institute of Technology、Leibniz-Institut für Kristallzüchtung以及国内多家科研院所和高校的相关研究组建立了密切的联系。

                                         
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