功能晶体中的新物相效应

多晶衍射数据结构分析

本课题组多年来一直致力于功能材料晶体生长的研究工作，六十年代初生长出我国第一根红宝石单晶。七十年代后，先后生长出Nd:YAG、GGG、α-LiIO3、KTP、SrTiO3、TiO2、BaTiO3、Ce:BaTiO3、YVO4、LaAlO3、TGG等晶体，并对其完美性、晶体结构、物理性质和生长机理进行了深入研究，曾获得两项国家科技进步二等奖。近年来，课题组的研究工作主要集中在宽禁带半导体晶体生长、新型硼酸盐材料探索、多晶衍射数据结构分析 等方面。在国家自然科学基金委、科技部和其它国家部门的大力支持下，课题组在这些方面 已取得以下研究成果。

自行研制了具有自主知识产权的高温晶体生长设备，解决了第三代半导体核心材料SiC 晶体生长的某些关键问题，在SiC 晶体生长尤其是微管控制和多型性控制技术上获得重要进展，成功地生长出高质量2英寸6H-和4H-SiC晶体，晶体的微管密度最低达20个/cm2, X-射线摇摆曲线半高宽可达1弧分以下。在2英寸半绝缘4H-SiC晶体生长研究上获得重要进展，通过掺入B和V等元素和控制生长条件，成功地生长出高阻4H-Si晶体，电阻率最高已超过106欧姆·厘米；在国内率先将6H-SiC晶片推进到产业化中式阶段 。

在常压、低于1000℃的条件下研究了从多相熔体中生长GaN单晶的生长机制，解决了熔盐法生长GaN单晶的关键问题，用实验数据和热力学计算相结合的方法优化了GaN/ 助溶剂体系的相关系，为生长大尺寸晶体提供了较可靠的基础，为国际上GaN单晶生长研究有研究组之一。